进入了六月以后，成永兴的陪聊业务，愈发的繁忙。
由于条件的限制，再加上距离的遥远，他不得不通过电话，一点一滴的跟踪远方的进展。
经历了MEMS的洗礼，成永兴对于半导体设备的使用，并不陌生了。
但是他现在又来到了一个全新的挑战面前。
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1989年到1990年这个节点，对于一名程序员来说，差不多是最差的年代。
PC软件刚刚起步，网络时代还没有到来。国内的软件市场，还处于一种发烧友的环境。市场就根本不要提了，学校计算机里用的软件，都是免费的。
但是对于蓝光LED来说，这就是最好的年代。
蓝光LED发明专利的前置条件，在89年先后都已经出现。
1989年，日本NTT公司的松冈隆志发明了以用氮气作为载气的方法，获得InGaN材料生长的标准工艺。
1985年，赤崎师生，发明了“两步法”生长技术使得GaN的晶体质量显着改善，然后又在1989实现了世界上第一支GaN基p-n结LED。
可以说，在过去的几年里，蓝光LED技术，一直在不停的进步，而且走到了一个关键的时间点上。
但从90年到93年，蓝光LED大规模量产之前，整整三年，整个世界，完全成了中村一个人的舞台。
在这个阶段，其它人虽然也有所收获。但是这些收获，通通被证明，走在了错误的道路上!
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成永兴这段时间，通过电话与传真，遥控着远方的盟军力量，不停地攻打两个关键关卡。
这些关卡，在整个蓝光LED的八卦史里，也都非常有名。
第一关，就是MOCVD的改造设计。
在加热器内置后，整个反应室的设计，出现了翻天覆地的变化，其中最重要的就是，主要的设备材质从石英变成了金属。
这个变化是决定性的！
可以说，中村完全是设计了一种不同类型的MOCVD，除了名字相同，原理相同以外，两者之间，再没有什么是相同的。
这个改造，是所有事情的起点。
如果不是中村这个怪胎，也许蓝光LED的出现，还要再等待三十年！
这件事情的难度，我们可以做个比喻。
有位学习集成电路设计的老兄，不满意现有光刻机的精度，或者易用性，于是自己动手设计和制造了一种新类型的光刻机!
这种光刻机不但能用！而且好用，各种技术指标，全面爆棚！
又或者是一名医生，不满意现在的CT扫描仪，自己动手做出了核磁扫描仪！
通过这两个例子，大家就能理解，中村的成就是多么的离谱。
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术业有专攻。
随着工业和科学技术的发展，学科的种类也是越分越细。这种细分的结果，使人的知识面反而越来越窄，每个人都成为了大机器上的一个螺丝钉。
人一旦离开了现代社会这个大机器，被饿死在野外，是大概率事件。
被现代化教育体系培养出来的精英，仪器的使用者和仪器的制造者，是两种完全不同领域的人。
正是这种跨专业，跨领域，仪器制造厂对使用者的需求和困扰，并不是那么敏感和理解。这也是VPE，甚至MOCVD早就诞生，但只有到了今天，才被中村改造。
光刻机的厂家，肯定很烦芯片设计人员跑过来指手画脚，告诉他们如何设计仪器。
在科仪，如果不是他们走投无路，会甘心情愿的听成永兴瞎指挥？
把石英改成金属？你那不是疯了吧！
这一关，中村靠的是天赋，成永兴靠的是外挂和金手指。
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过了第一关，就是第二关。
这个第二关，也跟设备结构有关系。
这就是被后世沿用三十年之久的“Two-Flow“双吹法进气模式。
GaN材料的生长温度比传统半导体要高很多，一般在1000度以上。
在高温下，衬底表面的气体会自发向上扩散，造成外延表面的氮分压不够，GaN容易分解。
中村发明了一种双束流反应室结构，即一路为水平气流携带化学反应的前驱物进入反应室，另外一路为垂直的气流从反应室自上而下进入。
说穿了，就是两股气流，一个是侧吹，一个是从上往下吹。这股自上而下的气流，起到了压制GaN分解的作用。
这个工艺方法的出现，完全是中村拍脑袋的结果，没有任何解释。
中村没有走任何弯路，一步到位，直接就是正确的方式。
这种运气和巧合，令全世界的科研工作者，都很无语！
因为，再没有第二个开发人员，采用这种方式！
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从已经披露出来的信息来看，成永兴甚至高度怀疑，这个中村其实也是个穿越者！
他的一些操作手法，技巧，甚至人生选择，都出现得毫无道理。
中村身为名校的研究生，居然放弃大城市，大公司的工作，跑到一家乡镇企业打工，不就是为了追求相对独立，完整的研发权力吗？
在大公司，你想改造设备和仪器?
先讨论讨论！
这点跟成永兴在检测专业，霸占资源去做半导体项目的思路，像不像？
中村大侠，真正进军蓝光LED是从89年4月。
这家伙一出山，就一路出成果，杀遍全世界！
他出现在LED战场的时候，就是满级大号！浑身带着极品的装备，技能！
然后就见神杀神，佛挡杀佛。单枪匹马，杀出条金山银海出来。
这故事编的，除了穿越类小说，谁都不敢这么写。
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蓝光LED的征程，还十分漫长，过了一关还有下一关。
关关都有大BOSS，离最终的胜利，还很遥远。
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《步步惊心》系列，主要是指蓝光LED涉及到一些技术文。它不是连续放出的。而是贯穿在这一卷的始终。
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